onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 253 A 194 W, 5-Pin DFNW-5

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-570
Herst. Teile-Nr.:
NVMFWS1D5N08XT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

253A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVMFWS

Gehäusegröße

DFNW-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.43mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

194W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q

Ursprungsland:
MY
Der MOSFET von ON Semiconductor im 5x6-mm-Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und bietet eine hohe thermische Leistung. Option für benetzbare Flanken zur verbesserten optischen Inspektion erhältlich. AEC-Q101-qualifizierter MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen.

Halogenfrei

RoHS-konform

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