onsemi NVMFWS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 253 A 194 W, 5-Pin DFNW-5

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*

€ 7,92

(ohne MwSt.)

€ 9,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 354 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
2 - 18€ 3,96€ 7,92
20 - 198€ 3,57€ 7,14
200 - 998€ 3,29€ 6,58
1000 - 1998€ 3,05€ 6,10
2000 +€ 2,48€ 4,96

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-570
Herst. Teile-Nr.:
NVMFWS1D5N08XT1G
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

253A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVMFWS

Gehäusegröße

DFNW-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.43mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

194W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q

Ursprungsland:
MY
Der MOSFET von ON Semiconductor im 5x6-mm-Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und bietet eine hohe thermische Leistung. Option für benetzbare Flanken zur verbesserten optischen Inspektion erhältlich. AEC-Q101-qualifizierter MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen.

Halogenfrei

RoHS-konform

Verwandte Links