onsemi NVMFWS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 121 A 63 W, 5-Pin DFNW-5
- RS Best.-Nr.:
- 220-573
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Hersteller:
- onsemi
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- 220-573
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 121A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | AECQ101 Qualified and PPAP Capable | |
| Breite | 6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 121A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen AECQ101 Qualified and PPAP Capable | ||
Breite 6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der MOSFET von ON Semiconductor hat eine niedrige Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Dieses Gerät ist Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
RoHS-konform