onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 94 A 50 W, 5-Pin DFNW-5
- RS Best.-Nr.:
- 648-509
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS2D9N04XMT1G
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
€ 9,82
(ohne MwSt.)
€ 11,78
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,982 | € 9,82 |
| 100 - 490 | € 0,608 | € 6,08 |
| 500 - 990 | € 0,376 | € 3,76 |
| 1000 + | € 0,372 | € 3,72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 648-509
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS2D9N04XMT1G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 94A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NVM | |
| Gehäusegröße | DFNW-5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 94A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NVM | ||
Gehäusegröße DFNW-5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der ON Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 5 x 6 mm Flachkabelgehäuse wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und umfasst eine hohe thermische Leistung. Belüftbare Flanke-Option für verbesserte optische Inspektion. Qualifizierter AEC-Q101-MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.
Kleine Abmessungen
Niedriger RDS(ein)
Niedrige QG und Kapazität
Belüftbare Flanke-Option
RoHS-Konformität