onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 233 A 104 W, 5-Pin DFNW-5

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
648-512
Herst. Teile-Nr.:
NVMFWS1D1N04XMT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

233A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NVM

Gehäusegröße

DFNW-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49.3nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free

Länge

5mm

Breite

6 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der ON Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 5 x 6 mm Flachkabelgehäuse wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und umfasst eine hohe thermische Leistung. Belüftbare Flanke-Option für verbesserte optische Inspektion. Qualifizierter AEC-Q101-MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.

Kleine Abmessungen

Niedriger RDS(ein)

Niedrige QG und Kapazität

Belüftbare Flanke-Option

RoHS-Konformität

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