onsemi NTT Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 178 A 83 W, 8-Pin WDFN8
- RS Best.-Nr.:
- 648-510
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 648-510
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 178A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | WDFN8 | |
| Serie | NTT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.43mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 178A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße WDFN8 | ||
Serie NTT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.43mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die neueste 40-V-Standard-Gate-Level-Leistungs-MOSFET-Technologie von ON Semiconductor mit dem besten Einschaltwiderstand ihrer Klasse für Motortreiberanwendungen. Ein geringerer On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung können Leitungsverluste und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Weichheitsregelung für die umgekehrte Wiederherstellung der Gehäusediode kann die Spannungsspitzenbelastung ohne zusätzlichen Schnubbelstromkreis in Anwendungen reduzieren.
Niedriger RDS(ein)
Niedrige Kapazität
Kleine Abmessungen