onsemi NTM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 66 A 38 W, 5-Pin DFN-5
- RS Best.-Nr.:
- 648-507
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4D7N04XMT1G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 66A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN-5 | |
| Serie | NTM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Länge | 5.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN-5 | ||
Serie NTM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.15 mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Länge 5.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die neueste 40-V-Standard-Gate-Leistungs-MOSFET-Technologie von ON Semiconductor mit dem besten Einschaltwiderstand der Klasse für Motortreiberanwendungen. Niedrigerer Widerstand im eingeschalteten Zustand und geringere Gate-Ladung können Leitungs- und Antriebsverluste verringern. Eine gute Softness-Steuerung für die Rückwärtserholung der Body-Diode kann die Belastung durch Spannungsspitzen ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in der Anwendung reduzieren.
Latest 40-V-Standard-Gate-Leistungs-MOSFET-Technologie
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrigere Gate-Ladung