onsemi NTMFS3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 83 A 39 W, 5-Pin DFN-5
- RS Best.-Nr.:
- 220-549
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS3D1N04XMT1G
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
€ 8,21
(ohne MwSt.)
€ 9,85
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,821 | € 8,21 |
| 100 - 240 | € 0,781 | € 7,81 |
| 250 - 490 | € 0,722 | € 7,22 |
| 500 - 990 | € 0,667 | € 6,67 |
| 1000 + | € 0,642 | € 6,42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-549
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS3D1N04XMT1G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 83A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 83A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN-5 | ||
Serie NTMFS3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die ON Semiconductor Power-MOSFET-Technologie mit klassenbestem On-Widerstand für Motortreiberanwendungen. Ein geringerer On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung können Leitungsverluste und Antriebsverluste reduzieren. Eine gute Softness-Steuerung für die Rückwärtserholung der Body-Diode kann die Belastung durch Spannungsspitzen ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in der Anwendung reduzieren.
Halogenfrei
RoHS-konform