ROHM RQ3N060AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 18 A 20 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 331-689
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3N060ATTB1
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
€ 6,87
(ohne MwSt.)
€ 8,24
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 160 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,687 | € 6,87 |
| 100 - 240 | € 0,653 | € 6,53 |
| 250 - 490 | € 0,605 | € 6,05 |
| 500 - 990 | € 0,557 | € 5,57 |
| 1000 + | € 0,536 | € 5,36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 331-689
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3N060ATTB1
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | RQ3N060AT | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie RQ3N060AT | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Power MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem kleinen Gehäuse mit hoher Leistung geliefert.
Pb-freie Beschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei
100 Prozent Rg- und UIS-getestet