ROHM RQ3N060AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 18 A 20 W, 8-Pin HSOP-8

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RS Best.-Nr.:
331-689
Herst. Teile-Nr.:
RQ3N060ATTB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

RQ3N060AT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Power MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem kleinen Gehäuse mit hoher Leistung geliefert.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

100 Prozent Rg- und UIS-getestet

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