ROHM HP8KE5 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.5 A 20 W, 8-Pin HSOP-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

€ 6,50

(ohne MwSt.)

€ 7,80

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 90€ 0,65€ 6,50
100 - 240€ 0,618€ 6,18
250 - 490€ 0,572€ 5,72
500 - 990€ 0,527€ 5,27
1000 +€ 0,506€ 5,06

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
331-686
Herst. Teile-Nr.:
HP8KE5TB1
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8KE5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

193mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Power MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse geliefert.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

100 Prozent Rg- und UIS-getestet

Verwandte Links