ROHM HT8KE5H Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.5 A 13 W, 8-Pin HSOP-8

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RS Best.-Nr.:
331-687
Herst. Teile-Nr.:
HT8KE5HTB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HT8KE5H

Gehäusegröße

HSOP-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

13W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.7nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Power MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem kleinen Gehäuse mit hoher Leistung geliefert.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

100 Prozent Rg- und UIS-getestet

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