ROHM HP8KC5 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 20 W, 8-Pin HSOP-8

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RS Best.-Nr.:
331-684
Herst. Teile-Nr.:
HP8KC5TB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8KC5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

139mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.1nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free Plating, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Power MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schalt- und Motorantriebsanwendungen eignet. Dieser Leistungs-MOSFET wird in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse geliefert.

Pb-freie Beschichtung

RoHS-Konformität

Halogenfrei

100 Prozent Rg- und UIS-getestet

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