ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 21 W, 8-Pin HSOP-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

€ 9,96

(ohne MwSt.)

€ 11,95

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
5 - 45€ 1,992€ 9,96
50 - 95€ 1,892€ 9,46
100 - 495€ 1,754€ 8,77
500 - 995€ 1,616€ 8,08
1000 +€ 1,552€ 7,76

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-757
Herst. Teile-Nr.:
HP8KC6TB1
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

HP8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

21W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 60V 23A Dual Nch+Nch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.

Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links