ROHM RS1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 43 A 40 W, 8-Pin HSOP-8

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RS Best.-Nr.:
265-472
Herst. Teile-Nr.:
RS1N110ATTB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSOP-8

Serie

RS1

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21.0mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

135nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus und ist in einem kleinen Gehäuse für hohe Leistungen untergebracht, wodurch er sich ideal für Schaltanwendungen und Motorantriebe eignet. Seine kompakte Größe ermöglicht eine effiziente Leistung bei gleichzeitiger Optimierung des Platzbedarfs in elektronischen Designs.

RoHS-Konformität

Geringer Widerstand

Pb-freie Beschichtung

Halogenfrei

100 Prozent Rg und UIS getestet

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