ROHM RS1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 43 A 40 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-472
- Herst. Teile-Nr.:
- RS1N110ATTB1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Serie | RS1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Serie RS1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus und ist in einem kleinen Gehäuse für hohe Leistungen untergebracht, wodurch er sich ideal für Schaltanwendungen und Motorantriebe eignet. Seine kompakte Größe ermöglicht eine effiziente Leistung bei gleichzeitiger Optimierung des Platzbedarfs in elektronischen Designs.
RoHS-Konformität
Geringer Widerstand
Pb-freie Beschichtung
Halogenfrei
100 Prozent Rg und UIS getestet