ROHM RQ3N, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 15 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
329-148
Herst. Teile-Nr.:
RQ3N040ATTB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

RQ3N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

126mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

15W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Power MOSFET ist ein Leistungsgehäuse mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Leistung, das sich für Schalt- und Motorantriebe eignet. Es zeichnet sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und integrierte Gate-Source-Schutzdiode aus, wodurch es sich für den Einsatz in DC-DC-Wechselrichtern und anderen Energiemanagement-Schaltungen eignet.

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