ROHM RQ3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 15 W, 8-Pin HSMT-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

€ 5,59

(ohne MwSt.)

€ 6,71

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 90€ 0,559€ 5,59
100 - 240€ 0,53€ 5,30
250 - 490€ 0,492€ 4,92
500 - 990€ 0,452€ 4,52
1000 +€ 0,437€ 4,37

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-477
Herst. Teile-Nr.:
RQ3L070BGTB1
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

RQ3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

15W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-Leistungs-MOSFET 60V 20A bietet einen niedrigen On-Widerstand und ist damit ideal für primärseitige Schaltvorgänge, Motorantriebe und DC-DC-Wandler.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

Verwandte Links