ROHM RQ3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
265-252
Herst. Teile-Nr.:
RQ3L120BJFRATCB
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

RQ3

Gehäusegröße

HSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

106mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM-MOSFET für die Automobilindustrie ist eine ideale Lösung für Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen. Seine robuste Konstruktion gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Realisierung einer hohen Montagesicherheit durch originelle Klemmen- und Plattierungsbehandlung.

RoHS-Konformität

AEC Q101 Qualifiziert

Kleines Gehäuse mit hoher Leistung

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