ROHM HT8KB6 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Entleerung / 15 A 14 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-123
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8KB6TB1
- Hersteller:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- HT8KB6TB1
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KB6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.2mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 14W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie HT8KB6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.2mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 14W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET ist für anspruchsvolle Anwendungen konzipiert, die eine außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Das robuste Design mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Leistungskapazität macht das Produkt zu einer idealen Wahl für Motorantriebe und andere Power-Management-Anforderungen. Er zeichnet sich durch sein kompaktes HSMT8-Gehäuse aus, das eine einfache Integration in verschiedene elektronische Systeme gewährleistet.
Halogenfreies Design unterstützt die Einhaltung globaler Umweltstandards
Garantierte 100% Rg- und UIS-Tests für erhöhte Zuverlässigkeit
Breiter Sperrschichttemperaturbereich ermöglicht vielseitige Anwendungen
Hohe gepulste Drainstromfähigkeit unterstützt anspruchsvolle Betriebsprofile
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