ROHM HT8K Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 7 A 13 W, 8-Pin HSMT-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-874
Herst. Teile-Nr.:
HT8KE5TB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

HT8K

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

193mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

13W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-Leistungs-MOSFET verfügt über eine duale N-Kanal-Konfiguration mit einer Nennspannung von 100 V und einer Stromkapazität von 7 A. Entwickelt in einem HSOP8-Gehäuse und mit niedrigem On-Widerstand.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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