STMicroelectronics IGBT / 10 A, 375 V 125 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 9,36

(ohne MwSt.)

€ 11,24

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Auf Lager
  • 142 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 4,68€ 9,36
10 - 18€ 4,445€ 8,89
20 - 48€ 4,00€ 8,00
50 - 98€ 3,605€ 7,21
100 +€ 3,425€ 6,85

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
686-8341
Herst. Teile-Nr.:
STGB10NB37LZT4
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

375V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

8μs

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

12 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.4 mm

Länge

28.9mm

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links