STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 906-2808
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP5H60DF
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- STGP5H60DF
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 88 W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Nennleistung | 221mJ | |
| Gate-Kapazität | 855pF | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
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|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 88 W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Nennleistung 221mJ | ||
Gate-Kapazität 855pF | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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