STMicroelectronics IGBT / 10 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
168-8940
Herst. Teile-Nr.:
STGP5H60DF
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.95V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Trench Gate Field Stop

Breite

4.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.15mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Energie

221mJ

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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