STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-8940
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP5H60DF
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 40,90
(ohne MwSt.)
€ 49,10
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,818 | € 40,90 |
| 100 - 200 | € 0,778 | € 38,90 |
| 250 - 450 | € 0,737 | € 36,85 |
| 500 - 700 | € 0,696 | € 34,80 |
| 750 + | € 0,655 | € 32,75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-8940
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP5H60DF
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 88 W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Gate-Kapazität | 855pF | |
| Nennleistung | 221mJ | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 88 W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Gate-Kapazität 855pF | ||
Nennleistung 221mJ | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 6 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 1899-12-31 06:00:00 ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 7 600 V 38 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 12 A 20V max. 3-Pin PG-TO252 N-Kanal
- Infineon IGBT / 1899-12-31 06:00:00 ±20V max. 3-Pin TO-263 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 15 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal