Teile-Nr.

STMicroelectronics IGBT / 14 A ±20V max. , 1200 V 75 W, 3-Pin D²PAK N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 151-939
Herst. Teile-Nr.:: STGB3NC120HDT4
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT / 14 A ±20V max. , 1200 V 75 W, 3-Pin D²PAK N-Kanal

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RS Best.-Nr.:: 151-939
Herst. Teile-Nr.:: STGB3NC120HDT4
Hersteller:: STMicroelectronics

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	STMicroelectronics
	Dauer-Kollektorstrom max.	14 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	75 W
	Gehäusegröße	D²PAK
	Montage-Typ	SMD
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3

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	Marke STMicroelectronics
	Dauer-Kollektorstrom max. 14 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 75 W
	Gehäusegröße D²PAK
	Montage-Typ SMD
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3

Datasheet - STGB3NC120HDT4

Ursprungsland:: CN

Der IGBT von STMicroelectronics bietet einen hervorragenden Kompromiss zwischen niedrigen Leitungsverlusten und schnellem Schaltverhalten. Es wurde in Power-MESH-Technologie in Kombination mit einer ultraschnellen Hochspannungsdiode entwickelt.

Hohe Spannungsfestigkeit
Hohe Geschwindigkeit
Sehr sanfte, ultraschnelle Erholung Antiparallel-Diode

STMicroelectronics IGBT / 14 A ±20V max. , 1200 V 75 W, 3-Pin D²PAK N-Kanal

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