STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 1200 V 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
877-2879
Herst. Teile-Nr.:
STGD5NB120SZT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

10 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

75 W

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Gate-Kapazität

430pF

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Nennleistung

12.68mJ

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics



IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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