STMicroelectronics IGBT / 5 A, 1200 V 75 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 877-2879
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5NB120SZT4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 7,78
(ohne MwSt.)
€ 9,335
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 80 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 6 890 Einheit(en) mit Versand ab 19. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,556 | € 7,78 |
| 25 - 45 | € 1,478 | € 7,39 |
| 50 - 120 | € 1,332 | € 6,66 |
| 125 - 245 | € 1,198 | € 5,99 |
| 250 + | € 1,136 | € 5,68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 877-2879
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5NB120SZT4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 5A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 690ns | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.4 mm | |
| Serie | H | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Länge | 6.2mm | |
| Höhe | 2.2mm | |
| Energie | 12.68mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 5A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 690ns | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.4 mm | ||
Serie H | ||
Normen/Zulassungen JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Länge 6.2mm | ||
Höhe 2.2mm | ||
Energie 12.68mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 14 A ±20V max. 3-Pin D²PAK N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 4 A ±20V max. 3-Pin DPAK
- STMicroelectronics IGBT / 30 A 16V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- onsemi IGBT / 10 A ±14V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- Infineon IGBT / 8 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal