STMicroelectronics IGBT / 25 A 16V max. , 475 V 125 W, 3-Pin DPAK N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
164-7025
Herst. Teile-Nr.:
STGD20N45LZAG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

25 A

Kollektor-Emitter-Spannung

475 V

Gate-Source Spannung max.

16V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

125 W

Gehäusegröße

DPAK

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

6.6 x 2.4 x 6.2mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

300mJ

Automobilstandard

AEC-Q101

Gate-Kapazität

1011pF

Diese anwendungsspezifische IGBT nutzt modernste PowerMESH™-Technologie, die für den Spulenantrieb in der rauen KFZ-Zündanlagenumgebung optimiert wurde. Diese Geräte weisen eine sehr niedrige Durchlassspannung und sehr hohe SCIS-Leistungsfähigkeit über einen großen Betriebstemperaturbereich auf. Außerdem bedeutet ein ESD-geschützter Logikebenen-Gate-Eingang und ein integrierter Gate-Widerstand, dass keine externe Schutzschaltung erforderlich ist.

SCIS-Leistung von 300 mJ bei TJ = 25 °CTeile sind zu 100 % SCIS-geprüftESD-Gate-Emitter-SchutzGate-Kollektor-HochspannungsbegrenzungLogikebenen-Gate-AnsteuerungSehr niedrige SättigungsspannungHohe ImpulsstrombelastbarkeitGate- und Gate-Emitter-Widerstand

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