STMicroelectronics IGBT / 14 A ±20V max. , 1200 V 75 W, 3-Pin D²PAK N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-940
Herst. Teile-Nr.:
STGB3NC120HDT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

14 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

75 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

D²PAK

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Ursprungsland:
CN
Der IGBT von STMicroelectronics bietet einen hervorragenden Kompromiss zwischen niedrigen Leitungsverlusten und schnellem Schaltverhalten. Es wurde in Power-MESH-Technologie in Kombination mit einer ultraschnellen Hochspannungsdiode entwickelt.

Hohe Spannungsfestigkeit
Hohe Geschwindigkeit
Sehr sanfte, ultraschnelle Erholung Antiparallel-Diode

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