Infineon IGB20N65S5ATMA1 IGBT / 40 A, 650 V 125 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
273-2957
Herst. Teile-Nr.:
IGB20N65S5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.35V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM5

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IGBT mit Antiparalleldiode im TO263-Gehäuse ist für den Einsatz mit einem Ein- oder Ausschalt-Gate-Widerstand geeignet.

Gate-Treiber mit Fräserklemmen sind nicht erforderlich

Reduzierung der EMI-Filterung erforderlich

Ausgezeichnet für Parallelmontage

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