Infineon IGBT / 40 A, 650 V 125 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2956
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB20N65S5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IGB20N65S5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | TRENCHSTOPTM5 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie TRENCHSTOPTM5 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IGBT mit Antiparalleldiode im TO263-Gehäuse ist für den Einsatz mit einem Ein- oder Ausschalt-Gate-Widerstand geeignet.
Gate-Treiber mit Miller-Klemme sind nicht erforderlich
Reduzierung der EMI-Filterung erforderlich
Ausgezeichnet für Parallelmontage
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