Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 600 V 250 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6620
Herst. Teile-Nr.:
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.21mm

Länge

42mm

Breite

16.13 mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

TRENCHSTOPTM

Automobilstandard

AEC-Q101

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate und weicher, schneller Erholung und antiparalleler Emitter-gesteuerter Diode von Infineon Fieldstop.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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