Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6651P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 215-6651P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB40N65EF5ATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 74 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 74 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon Hochgeschwindigkeits-Bipolartransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit und isoliertem Gate mit einer schnellen und weichen antiparallelen Diode mit voller Nennstromstärke von Rapid 1.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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Geringe elektromagnetische Störungen