Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
215-6651P
Herst. Teile-Nr.:
IKB40N65EF5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

74A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Hochgeschwindigkeits-Bipolartransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit und isoliertem Gate mit einer schnellen und weichen antiparallelen Diode mit voller Nennstromstärke von Rapid 1.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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