Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
215-6653
Herst. Teile-Nr.:
IKB40N65EH5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

74A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

High Speed Fifth Generation

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Hochgeschwindigkeits-Schalttortransistor mit isoliertem Gate, bipolarer Transistor, mit Vollnennstrom und Rapid-1-Antiparalleldiode.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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