Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 79 A, 650 V 230 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
215-6654
Herst. Teile-Nr.:
IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

79A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.35V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

High Speed Fifth Generation

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation der Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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