Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 79 A, 650 V 230 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 215-6655
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 79A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 79A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation der Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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