Infineon IGBT / 79 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO263-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-6655
Herst. Teile-Nr.:
IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

79 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20 V, ±30 V

Verlustleistung max.

230 W

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Pinanzahl

3

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der fünften Generation der Infineon Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

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