STMicroelectronics IGBT / 20 A, 600 V 65 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
795-7041
Herst. Teile-Nr.:
STGB10NC60HDT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

20A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.6mm

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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