Bourns IGBT / 60 A, 600 V 230 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 253-3507
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW30N60T
- Hersteller:
- Bourns
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 5,32
(ohne MwSt.)
€ 6,38
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 748 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 + | € 2,66 | € 5,32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 253-3507
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW30N60T
- Hersteller:
- Bourns
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Bourns | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31 | |
| Serie | BIDW30N60T | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Bourns | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31 | ||
Serie BIDW30N60T | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Außerdem ergibt diese Struktur einen geringeren Wärmewiderstand R(th).
600 V, 30 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
RoHS-konform
Verwandte Links
- Bourns IGBT / 60 A 3-Pin TO-247
- Bourns IGBT / 30 A, 600 V 230 W TO-247
- Toshiba Diskreter IGBT / 50 A 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 40 A 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 79 A 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- ROHM IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A 3-Pin TO-247GE Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Toshiba Diskreter IGBT / 40 A 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage
