Toshiba Diskreter IGBT / 40 A, 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
891-2743
Herst. Teile-Nr.:
GT40QR21,F(O
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

Diskreter IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gehäusegröße

TO-3P

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

2.5MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

6.5th generation

Automobilstandard

Nein

Energie

0.29mJ

Ursprungsland:
JP

IGBTs, diskret, Toshiba


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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