Toshiba Diskreter IGBT / 50 A, 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
796-5064
Herst. Teile-Nr.:
GT50JR22
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

Diskreter IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gehäusegröße

TO-3P

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±25 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

6.5th generation

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

IGBTs, diskret, Toshiba


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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