Toshiba Diskreter IGBT / 50 A, 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 6,38

(ohne MwSt.)

€ 7,66

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 34 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 241 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 96 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 6,38
10 - 49€ 4,04
50 - 124€ 3,95
125 - 249€ 3,90
250 +€ 3,82

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
796-5064
Herst. Teile-Nr.:
GT50JR22
Hersteller:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

Diskreter IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gehäusegröße

TO-3P

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

6.5th generation

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

IGBTs, diskret, Toshiba


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed