Bourns IGBT / 30 A ±20V max. , 600 V 230 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 253-3506
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW30N60T
- Hersteller:
- Bourns
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- 253-3506
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- BIDW30N60T
- Hersteller:
- Bourns
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Bourns | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 230 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Konfiguration | Einfachdiode | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Bourns | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 230 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Konfiguration Einfachdiode | ||
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Außerdem ergibt diese Struktur einen geringeren Wärmewiderstand R(th).
600 V, 30 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
RoHS-konform
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
RoHS-konform
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