Infineon IGBT / 41 A, 600 V 166 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6669
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW20N60TFKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,424 | € 102,72 |
| 60 - 120 | € 3,253 | € 97,59 |
| 150 - 270 | € 3,116 | € 93,48 |
| 300 - 570 | € 2,979 | € 89,37 |
| 600 + | € 2,773 | € 83,19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6669
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- IKW20N60TFKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 41A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 166W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.42mm | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1 | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 41A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 166W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.42mm | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1 | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon verlustarme bipolare Duopack-Transistor mit isoliertem Gate in Trenchstop- und Fieldstop-Technologie.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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