Infineon IGBT / 8 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6723
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW08N120CS7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 2,10 | € 63,00 |
| 60 - 120 | € 1,995 | € 59,85 |
| 150 + | € 1,911 | € 57,33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 232-6723
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW08N120CS7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 8A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Serie | IKW08N120CS7 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 21.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 8A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.3mm | ||
Serie IKW08N120CS7 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 21.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 8-A-Trenchstop-IGBT7-S7-diskret von Infineon wird in TO-247-Gehäuse mit EC7-Diode im Inneren geliefert. Es bietet einen niedrigen VCEsat, um sehr niedrige Leitungsverluste in Zielanwendungen zu erreichen, und die kogepackte, sehr weiche und schnelle Emitter-gesteuerte Diode hilft, Schaltverluste zu minimieren, die zu insgesamt niedrigen Gesamtverlusten beitragen. Mögliche Anwendungen umfassen industrielle Antriebe, industrielle Netzteile und Solarwechselrichter.
Gute Steuerbarkeit
Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit
Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign
Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen
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