Infineon IGBT / 30 A, 1200 V 217 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 5,96

(ohne MwSt.)

€ 7,16

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 46 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 146 Einheit(en) mit Versand ab 21. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 2,98€ 5,96
20 - 48€ 2,65€ 5,30
50 - 98€ 2,48€ 4,96
100 - 198€ 2,30€ 4,60
200 +€ 2,14€ 4,28

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-8223
Herst. Teile-Nr.:
IKW15N120H3FKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

217W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.05V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, RoHS

Serie

TrenchStop

Automobilstandard

Nein

TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V


Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.

• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V

• Sehr geringer VCEsat

• Geringe Abschaltverluste

• Kurzer Endstrom

• Geringe elektromagnetische Störungen

• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links