Infineon IGBT / 30 A, 600 V 187 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 4 Stück)*

€ 11,90

(ohne MwSt.)

€ 14,28

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 272 Einheit(en) mit Versand ab 24. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
4 - 16€ 2,975€ 11,90
20 - 96€ 2,28€ 9,12
100 - 196€ 1,975€ 7,90
200 - 496€ 1,863€ 7,45
500 +€ 1,83€ 7,32

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7756
Herst. Teile-Nr.:
IKW30N60H3FKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating

Serie

High speed switching third generation

Automobilstandard

Nein

Energie

1.72mJ

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V


Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.

• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V

• Sehr geringer VCEsat

• Niedrige Abschaltverluste

• Kurzer Deaktivierungsstrom

• Geringe elektromagnetische Störungen

• Maximale Verbindungstemperatur 175°C

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links