Infineon IGBT / 100 A, 1200 V 361 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2973
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2973
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 361W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 66ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Serie | TRENCHSTOP IGBT7 | |
| Länge | 20.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 361W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 66ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.7 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Serie TRENCHSTOP IGBT7 | ||
Länge 20.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der diskrete Infineon IGBT7 H7 im TO-247PLUS-3-poligen Gehäuse wurde entwickelt, um die Nachfrage in Anwendungen zu erfüllen, die sich auf die Dekarbonisierung konzentrieren, wie z. B. Solar-Photovoltaik, Unterbrechungsnetzteile und Akkuladegeräte.
Optimierte Leistung unter Anwendungsbedingungen
Niedrigste Leitungsverluste
Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungen
Verbesserte EMI-Leistung
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