Infineon IGBT / 166 A, 1200 V 361 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2974
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
5 weitere Einheiten hinzufügen, um 2% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 10,84
(ohne MwSt.)
€ 13,01
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
- Versand ab 03. Jänner 2028
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 4 | € 10,84 | - |
| 5 - 9 | € 10,62 | 2% |
| 10 - 24 | € 9,86 | 9% |
| 25 - 49 | € 9,02 | 16% |
| 50 + | € 8,33 | 23% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2974
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 166A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 361W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 66ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Breite | 15.7mm | |
| Serie | IKQ | |
| Länge | 20.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 166A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 361W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 66ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Breite 15.7mm | ||
Serie IKQ | ||
Länge 20.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT der IKQ-Serie von Infineon, 1200 V maximale Gate-Emitter-Spannung, 166 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – IKQ100N120CH7XKSA1
Merkmale und Vorteile:
• Die Gate-Emitter-Bewertung von 1200 V ermöglicht den Hochspannungsbetrieb
• 2-V-Kollektor-Emitter-Sättigung reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 361 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• RoHS- und JEDEC-Zulassungen vereinfachen die rechtliche Akzeptanz
Anwendungsbereich
• Ideal für Wechselrichterstufen in erneuerbaren Anlagen
• Verwendung mit Hochstrom-Motorsteuerungen
• Kann für unterbrechungsfreie Stromversorgungsstufen verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschaltvorgänge in der Leistungselektronik
Welcher Gehäusetyp wird für die Montage auf einer Leiterplatte verwendet?
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Wie viele elektrische Verbindungen bietet es?
Erfüllt es anerkannte Umwelt- und Prüfstandards?
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 166 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 82 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 92 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 86 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 90 A 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 41 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 40 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 150 A 3-Pin TO-247 Typ P-Kanal Durchsteckmontage
