ROHM IGBT-Einzel-Transistor-IC / 51 A, 650 V 166 W, 3-Pin TO-247GE Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
646-602
Herst. Teile-Nr.:
RGE60TS65DGC13
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

51A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Gehäusegröße

TO-247GE

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

30 V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Field Stop Trench IGBT wurde für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt. Es verfügt über eine Nennspannung von 650 V und eine Stromkapazität von 30 A, womit es für Wechselrichter, Schweißer und USV-Systeme geeignet ist. Mit einer Kurzschlusstoleranz von 5 μs und einer schnellen Erholungsdiode sorgt sie für niedrige Schaltverluste und hohe Zuverlässigkeit

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Pb-freie Bleibeschichtung

Integrierte sehr schnelle und weiche Erholung FRD

RoHS-Konformität

Verwandte Links