ROHM IGBT-Einzel-Transistor-IC / 102 A, 650 V 306 W, 3-Pin TO-247GE Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
646-598
Herst. Teile-Nr.:
RGEX5TS65DGC13
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

102A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

306W

Gehäusegröße

TO-247GE

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

30 V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Field Stop Trench IGBT wurde für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt. Es verfügt über eine Nennspannung von 650 V und eine Stromkapazität von 75 A, womit es für Wechselrichter, Schweißer und USV-Systeme geeignet ist. Mit einer Kurzschlusstoleranz von 5 μs und einer schnellen Erholungsdiode sorgt sie für niedrige Schaltverluste und hohe Zuverlässigkeit.

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Pb-freie Bleibeschichtung

Integrierte sehr schnelle und weiche Erholung FRD

RoHS-Konformität

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