Infineon IGBT / 41 A ±20V max. , 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 170-2371
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP20N60TXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2371
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP20N60TXKSA1
- Hersteller:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 41 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 166 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Nennleistung | 0.77mJ | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 41 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 166 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Nennleistung 0.77mJ | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Infineon IGBT
Der Infineon IGBT ist ein 3-poliger N-Kanal TO-220-Transistor für Durchgangsbohrungen. Er hat einen Nennstrom von 41 A und eine Nennspannung von 600 V, 3. Generation, verpolungssicherer IGBT, optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste. Sein weiches Schaltverhalten ermöglicht eine bessere Leistung und ein besseres EMI-Verhalten. Mit Hilfe dieses Transistors kann eine ausgezeichnete Leistung bei niedrigeren Kosten erreicht werden.
Eigenschaften und Vorteile
• Kosteneffizient
• Hohe Effizienz
• Geringe EMI-Emissionen
• Geringe Schaltverluste
• niedrigster V ce (sat)-Abfall für geringere Leitungsverluste
• Die maximale Verlustleistung beträgt 166 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 175 °C.
• Reduzierte Verlustleistung
• Überspannungsfestigkeit
• Sehr weiche, schnell wiederherstellende, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode
• Hohe Effizienz
• Geringe EMI-Emissionen
• Geringe Schaltverluste
• niedrigster V ce (sat)-Abfall für geringere Leitungsverluste
• Die maximale Verlustleistung beträgt 166 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 175 °C.
• Reduzierte Verlustleistung
• Überspannungsfestigkeit
• Sehr weiche, schnell wiederherstellende, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode
Anwendungen
• Haushaltsgeräte
• Induktionskochöfen
• Industrielle Antriebe
• Mikrowellenherde
• Reiskocher
• UPS
• Schweißgeräte
• Induktionskochöfen
• Industrielle Antriebe
• Mikrowellenherde
• Reiskocher
• UPS
• Schweißgeräte
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007
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