Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
215-6647
Herst. Teile-Nr.:
IKB15N65EH5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

105W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Infineon Hochgeschwindigkeits-Schalttransistor mit isoliertem Gate, der mit einer Rapid-1-Antiparalleldiode mit vollem Nennstrom kopakt ist, hat außerdem eine Durchschlagsspannung von 650 V.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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