Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-6611
Herst. Teile-Nr.:
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20 V, ±30 V

Verlustleistung max.

270 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Pinanzahl

3

Der Infineon 3-polige Hochgeschwindigkeits-Transistor mit isoliertem Gate-Bipolar.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

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