Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 6,49

(ohne MwSt.)

€ 7,788

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 3,245€ 6,49
10 - 18€ 3,08€ 6,16
20 - 48€ 2,825€ 5,65
50 - 98€ 2,435€ 4,87
100 +€ 1,98€ 3,96

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-6611
Herst. Teile-Nr.:
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20 V, ±30 V

Verlustleistung max.

270 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Pinanzahl

3

Der Infineon 3-polige Hochgeschwindigkeits-Transistor mit isoliertem Gate-Bipolar.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links