Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6610
Herst. Teile-Nr.:
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

270W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.66V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 3-polige Hochgeschwindigkeits-Transistor mit isoliertem Gate-Bipolar.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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