DiodesZetex Gate-Treiber-Modul 290.69 A 2 8-Pin SOIC 20 V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 246-6747
- Herst. Teile-Nr.:
- DGD2003S8-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- Herst. Teile-Nr.:
- DGD2003S8-13
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 290.69A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 290.69A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex ist ein Hochspannungs-/Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber, der N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration antreiben kann. Hochspannungsverarbeitungstechniken ermöglichen das Umschalten der hohen Seite des DGD2003 auf 200 V in einem Bootstrap-Betrieb. Die Logikeingänge DGD2003 sind kompatibel mit Standard-TTL- und CMOS-Ebenen (bis zu 3,3 V) zur einfachen Verbindung mit Steuergeräten. Der DGD2003 wird im SO-8-Gehäuse angeboten und arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C
Große Low-Side-Gate-Treiber-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Schwimmender High-Side-Treiber im Bootstrap-Betrieb bis 200 V Treibt 2 N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrückenkonfiguration Unterspannungssperre für High-Side- und Low-Side-Treiber Erweiterter Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C
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